大伙兒應當都了解，在生產制造處理芯片的情況下，有兩個大中型機器設備，一個是光刻技術，此外一個便是蝕刻機，那麼有的盆友便會問，什么叫光刻技術，什么叫蝕刻機，它倆究竟有什么差別呢？今日我們就跟大伙兒好好說說哈，當期知識要點很聚集，大伙兒都聽好了哈。
這倆設備簡易的表述便是光刻技術把原理圖投射到遮蓋有光刻技術的單晶硅片上邊，刻蝕機再把剛剛畫了原理圖的單晶硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什么難的，可是有一個品牌形象的形容，每一塊處理芯片上邊的電源電路構造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜，這就是這光刻技術和蝕刻的難度系數。
光刻技術的全過程就是目前制做好的硅圓表層涂上一層光刻技術（一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學物質），接下去根據光源（加工工藝難度系數紫外線＜深紫外線＜極紫外線）通過掩膜照射硅圓表層（相近投射），由于光刻技術的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒有陽光照射的一部分被留下，這些就是必須的電源電路構造。
蝕刻分成二種，一種是干刻，一種是濕刻（現階段流行），說白了，濕刻便是全過程中有冰添加，將上邊歷經光刻技術的圓晶與特殊的化學溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構造了，干刻現階段都還沒完成商業服務批量生產，其基本原理是根據等離子技術替代化學溶液，除去不用的硅圓一部分。
現階段在我國光刻技術和蝕刻機的發展趨勢非常尷尬，歸屬于比較嚴重兩極分化的狀況，中微半導體7nm蝕刻機的批量生產，立即邁進全球隊伍，5nm蝕刻機也在試驗環節，在這里兩條道路上，蝕刻機要繼續努力，而光刻技術則必須奮起直追。