等離子蝕刻機蝕刻加工可分為兩個全過程：，等離子里的有機化學活性組分，這種活性組分與液體原材料化學物質發生反應，形成揮發物化學物質，同時向表面擴散、排出來。以CF4為例子，其電離度物F與S反應生成SiF4汽體，在含Si原材料的表面形成微切削構造。等離子蝕刻加工就是指正離子蝕刻加工、磁控濺射蝕刻加工和等離子灰化等過程。
等離子蝕刻機改性材料深度在于底材環境溫度、等待時間各種材料蔓延特點，而改性材料的種類在于底材和工藝指標。等離子只有在表面上蝕刻加工好多個μm深，其表面特性出現了改變，但大部分原材料表面特性仍然能夠維持。該方法還可用于表層清理、干固、鈍化處理、更改吸水性和黏附性等，一樣可用于半導體集成電路的制造過程中，還可以在光學顯微鏡下注意到試品變軟。化學變化能通過有機化學磁控濺射造成揮發物物質。常見氣體包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化學蒸汽等。可塑性無機化合物磁控濺射比具備化學變化的等離子磁控濺射更貼近物理現象。
在蝕刻中，密度高的等離子源具備很多特點，能夠更準確地操縱產品工件規格，蝕刻加工率更高，原材料可選擇性更強。多層的等離子源能在低壓下運行，因此能變弱鞘層震蕩。在芯片的蝕刻加工環節中，選用高密度的等離子源蝕刻技術，必須運用單獨的微波射頻源對圓晶開展閾值電壓，使能量和正離子互不相關。因為離子的動能一般在幾個電子伏數量級，因此當正離子進到負鞘層后，根據動能加快會達到幾百電子伏，而且具有較高的導向性，從而使得正離子蝕刻加工具備各種各樣。