蝕刻機事實上小范圍了解便是光刻浸蝕，先根據光刻將光刻膠開展光刻曝出解決，隨后根據其他方法完成浸蝕解決掉所需去除的一部分。伴隨著微生產制造加工工藝的發展趨勢；理論上而言，刻蝕變成根據飽和溶液、反映正離子或其他機械設備方法來脫離、除去原材料的一種通稱，變成微生產加工生產制造的一種普適性稱呼。磁感應藕合等離子刻蝕法是有機化學全過程和全部全過程相互功效的結果。它的基本概念是在真空泵氣壓低下，ICP射頻電源造成的微波射頻導出到圓形藕合電磁線圈，以一定百分比的混和刻蝕汽體經藕合電弧放電，造成密度高的的等離子，在下電級的RF微波射頻功效下，這種等離子對硅片表面開展負電子，硅片圖型地區的熱電材料的離子鍵被切斷，與刻蝕汽體轉化成揮發物成分，以汽體方式擺脫硅片，隨后從真空電磁閥路被吸走。
光刻機把圖案設計刻上去，隨后刻蝕機依據刻上去的圖案設計刻蝕掉有圖案（或是沒有圖案設計）的一部分，留有剩余的部分。刻蝕相對性光刻要非常容易。假如把在硅晶體上的工程施工比成木工活得話，光刻機的效果等同于木工在木材上放墨斗線畫線，刻蝕機的效果等同于木工在木材上放手鋸、木工鑿、斧頭、刨刀等工程施工。蝕刻機和光刻機特性一樣，但精密度標準是天差地別。木工做細心活，一般到mm就可以了。做集成ic用的刻蝕機和光刻機，要到納米技術。如今的手機處理器，如海思麒麟970，驍龍處理器845全是tsmc的10納米材料。10納米有多小呢？舉個例子。假如把一根直徑是0.05mm發絲，按徑向均值割成5000片，一片的薄厚大概便是10納米技術。
光刻機別名：掩模對準曝光機，曝出系統軟件，光刻系統等。一般的光刻加工工藝要歷經單晶硅片表面清理烘干處理、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、指向曝出、后烘、顯影液、硬烘、刻蝕等工藝流程。光刻的效果是使表面具備疏水性，提高底材表面與光刻膠的粘附。光刻機可廣泛運用于微納流控芯片生產加工、微結構光電器件、微結構光柵尺、ＮＭＥＭＳ元器件等微結構構造元器件的制取。